一個典型的工業(yè)生產流程鏈如下：
玻璃進料 → 清洗 → TCO磁控濺射 → CdTe近空間升華 → CdCl?退火→ 背接觸層磁控濺射/蒸發(fā) → 背電極熱蒸發(fā) → 后續(xù)處理（測試、封裝等）
前電極和背接觸層?主要依賴磁控濺射，以實現(xiàn)高均勻性和可控性。
核心吸收層?大規(guī)模生產主要依賴近空間升華，以實現(xiàn)高沉積速率和優(yōu)異的薄膜結晶質量。
背電極?主要依賴簡單的熱蒸發(fā)，以降低成本和對器件的損傷。
靶材：?FTO（氟摻雜氧化錫）靶、ITO（氧化銦錫）靶。
工藝氣體：?氬氣，通常加入少量氧氣以調節(jié)薄膜的化學計量比和光電性能。
技術優(yōu)勢：
高均勻性：?能夠在大面積玻璃基板上沉積非常均勻的薄膜。
高致密性：?濺射薄膜致密，針孔少，有利于提高器件穩(wěn)定性和良率。
可控性好：?通過調節(jié)功率、氣壓、氣體比例等參數(shù)，可以精確控制薄膜的厚度、電阻和透光率。
挑戰(zhàn)：?需要平衡導電性和透光性。過厚的膜導電性好但透光性差，反之亦然。
這是整個工藝中最關鍵的一步，目前主流和高效的技術是近空間升華。
A. 近空間升華
原理：?將CdTe源材料（粉末或燒結塊）加熱至高溫（約600°C），使其升華，并在正上方溫度略低（約500°C）的基板上冷凝沉積。源與基板的距離很近（通常幾毫米到幾厘米），故名“近空間”。
技術優(yōu)勢：
高沉積速率：?可達數(shù)μm/min，非常適合大規(guī)模工業(yè)生產。
薄膜質量優(yōu)異：?沉積的CdTe薄膜晶粒大、結晶性好，這是獲得高效率電池的關鍵。
材料利用率高：?升華區(qū)域集中，材料損失少。
挑戰(zhàn)：
對源和基板的平行度、溫度控制精度要求極高。
設備相對復雜，維護要求高。
B. 磁控濺射
靶材：?CdTe化合物靶。
工藝氣體：?純氬氣。
技術優(yōu)勢：
均勻性極佳：?非常適合制備大面積、非常均勻的薄膜。
工藝溫和：?基板溫度相對較低。
與TCO鍍膜設備兼容性好，易于集成。
挑戰(zhàn)：
沉積速率慢：?遠低于CSS。
薄膜結晶質量通常不如CSS法制備的薄膜，需要后續(xù)高溫退火來改善，這會增加工藝復雜度。
化合物靶材制備成本較高。
結論：?對于追求高效率和大規(guī)模生產的碲化鎘太陽能電池制造商，近空間升華是首選和主流技術。磁控濺射更多用于研究或特定結構的器件。
在CdTe吸收層沉積并經過CdCl?退火處理后，需要制備背接觸。
背接觸層：
材料：?Sb?Te?, ZnTe:Cu 等。目的是在CdTe（高功函數(shù)）和金屬電極之間形成一個漸變過渡，降低接觸電阻。
PVD技術：?磁控濺射（使用化合物靶或共濺射）或?熱蒸發(fā)。磁控濺射更易于控制合金或摻雜成分。
背電極：
材料：?金屬，如Ni, Al, Au等。
PVD技術：?熱蒸發(fā)。因為：
工藝簡單，成本低。
對下面已經完成的半導體層損傷小（蒸發(fā)粒子能量低）。
沉積速率快。
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