? ? ? ?真空鍍膜機就是通過真空狀態(tài)下正交磁場使電子轟擊氬氣形成的氬離子再轟擊靶材，靶材離子沉積于工件表面成膜。如此車燈鍍膜機廠家就該考慮與膜層厚度的均勻性有關(guān)的有真空狀態(tài)、磁場、氬氣這三個方面。真空狀態(tài)就需要抽氣系統(tǒng)來控制的，每個抽氣口都要同時開動并力度一致，這樣就可以控制好抽氣的均勻性，如果抽氣不均勻，在真空室內(nèi)的壓強就不能均勻了，壓強對離子的運動是存在一定的影響的。
? ? ? (1)真空鍍膜對環(huán)境的要求。
加工真空鍍膜工藝襯底(基片)表面的清潔處理很重要。基片進入鍍膜室前均應(yīng)進行認真的鍍前清潔處理，達到工件去油、去污和脫水的目的。
基片表面污染來自零件在加工、傳輸、包裝過程所粘附的各種粉塵、潤滑油、機油、拋光膏、油脂、汗?jié)n等物;零件表面在潮濕空氣中生成的氧化膜;零件表面吸收和吸附的氣體。真空鍍膜廠家這些污物基本上均可采用去油或化學(xué)清冼方法將其去掉。
對經(jīng)過清洗處理的清潔表面，不能在大氣環(huán)境中存放，要用封閉容器或保潔柜貯存，以減小灰塵的沾污。用剛氧化的鋁容器貯存玻璃襯底，可使碳氫化合物蒸氣的吸附減至最小。因為這些容器優(yōu)先吸附碳氫化合物。對于高度不穩(wěn)定的、對水蒸氣敏感的表面，一般應(yīng)貯存在真空干燥箱中。
清除鍍膜室內(nèi)的灰塵，設(shè)置清潔度高的工作間，保持室內(nèi)高度清潔是鍍膜工藝對環(huán)境的基本要求。空氣濕度大的地區(qū)，除鍍前要對基片、真空室內(nèi)各部件認真清洗外，還要進行烘烤除氣。要防止油帶入真空室內(nèi)，注意油擴散泵返油，對加熱功率高的擴散泵必須采取擋油措施。
? ? ? (2)鍍層與鍍膜的基本原理
A、原材料與基本原理：
原材料都是樹脂、聚合物、鐵氟隆、硅酮、丙烯酸、硅酸鹽等，輔料、配方與量度有所不同。例添加的乳化劑，不同的量相調(diào)和，乳化出來的狀態(tài)就不一樣，水狀、乳狀、膏狀都可以實現(xiàn)。這些物質(zhì)經(jīng)乳化破乳后，部份滲透或形成薄膜。
B、它們的特點和區(qū)別：
鍍層：滲透功能好(要視原材料顆粒大小)，表面光滑度更優(yōu)，對漆面較多“毛細孔”、粗糙、重噴過漆、漆面本身較硬需要增加光亮度的歐美車系漆面比較適用。
鍍膜：而鍍膜產(chǎn)品添加了成膜助劑與固化劑，真空鍍膜廠家使其瞬間成膜，性質(zhì)相應(yīng)的發(fā)生了改變。
? ? ? ?真空鍍膜機所需要鍍膜環(huán)境和鍍層與鍍膜是非常重要的因素，真空度上不去，是不具備鍍膜條件的，同時良品率會與理想值差距甚遠。

1．標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境條件：溫度為20℃，相對濕度為65%，大氣壓力為101325Pa。
2．氣體的標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：溫度為0℃，壓力為101325Pa。
3．壓力（壓強）：氣體分子從某一假想平面通過時，沿該平面的正法線方向的動量改變率，除以該平面面積或氣體分子作用于其容器表面上的力的法向分量，除以該表面面積。
4．帕斯卡（符號：Pa）：國際單位制壓力單位，1 Pa=1N/m2。
5．分壓力：混合氣體中某一組分的壓力。
6．全壓力：混合氣體中所有組分壓力的總和。
7．真空：在指定空間內(nèi)，低于一個大氣壓力的氣體狀態(tài)。
8．真空度：表示真空狀態(tài)下氣體的稀薄程度，通常用壓力值來表示
9．氣體：不受分子間相互作用力的約束且能自由地占據(jù)任意空間的物質(zhì)。（注：在真空技術(shù)中，“氣體”一詞不嚴格地應(yīng)用于非可凝性氣體和蒸汽。）
10．非可凝性氣體：在臨界溫度以上的氣體，即單純增加壓力不能使其液化的氣體。
11．蒸汽：在臨界溫度以下的氣體，即單純增加壓力能使其液化的氣體。
12．飽和蒸汽壓：在給定溫度下，某種物質(zhì)的蒸汽與其凝聚相處于相平衡狀態(tài)下的該種物質(zhì)的蒸汽壓力。
13．飽和度：蒸汽壓對其飽和蒸汽壓之比。
14．飽和蒸汽：在給定溫度下，壓力等于其飽和蒸汽壓的蒸汽。
15．未飽和蒸汽：在給定溫度下，壓力小于其飽和蒸汽壓的蒸汽。
16．分子數(shù)密度（單位：m-3）：在某瞬時，氣體中某點周圍體積內(nèi)的分子數(shù)，除以該本積。
17．平均自由程：一個分子與其它氣體分子每連續(xù)二次碰撞走過的路程，叫自由程。相當(dāng)多的不同自由程的平均值，叫平均自由程。
18．碰撞率：在給定時間間隔內(nèi)，一個分子（或其他規(guī)定粒子）相對于其它氣體分子（或其它規(guī)定粒子）運動，受到的平均碰撞次數(shù)，除以該時間。這個平均碰撞次數(shù)是應(yīng)在足夠多的分子數(shù)和足夠長的時間間隔下取得。
19．體積碰撞率：在給定時間間隔內(nèi)，在圍繞規(guī)定一點的空間范圍內(nèi)，氣體分子間的平均碰撞次數(shù)除以該時間和該空間范圍體積。所取時間間隔和體積不應(yīng)太小。
20．氣體量：處于平衡狀態(tài)的理想氣體所占有的體積同其壓力的乘積。此值必須注明氣體溫度或換算成20℃時的數(shù)值。
（注：氣體量是指該量氣體所占體積內(nèi)氣體內(nèi)稟能量（或位能）的2/3。
21．氣體的擴散：氣體由于濃度梯度而在另一種介質(zhì)中的運動。介質(zhì)可以是另一種氣體（這種情況下的擴散稱之為互擴散）或者是可凝聚物質(zhì)。
22．?dāng)U散系統(tǒng)：通過單位面積的質(zhì)量流率的絕對值同該單位面積的法向濃度梯度之比。
23．粘滯流：氣體分子的平均自由程遠小于導(dǎo)管最小截面尺寸的流態(tài)。因此，流動取決于氣體的粘滯性，粘滯流可以是層流或滯流。
24．粘滯系數(shù)：在氣流速度梯度方向單位面積上的切向力與速度梯度之比。
25．泊肖葉流：流過圓截面長導(dǎo)管的層流粘滯流。
26．中間流：在層流和分子流之間狀態(tài)下氣體通過導(dǎo)管的流動。
27．分子流：氣體分子的平均自由程遠大于導(dǎo)管截面最大尺寸的流態(tài)。
28．克努曾數(shù)：氣體分子的平均自由程與導(dǎo)管直徑之比。
29．分子瀉流：氣體流過薄壁小孔，其分子的平均自由程較小孔尺寸大得多的情況時的流動狀態(tài)。
30．流逸：由壓力差引起的氣體通過多孔物體的流動。
31．熱流逸：在分子流狀態(tài)下，兩個連通容器由于溫度不同引起了氣體流動，當(dāng)氣體傳輸達到平衡時，兩個容器之間產(chǎn)生壓力梯度的現(xiàn)象。
32．分子流率：在給定時間間隔內(nèi)，從給定方向穿過表面的分子數(shù)與從相反方向穿過該表面的那些分子數(shù)之差，除以該時間。
33．分子流率密度：分子流率除以表面面積。
34．質(zhì)量流率：在給定時間間隔內(nèi)通過某一截面的氣體質(zhì)量，除以該時間。
35．流量：在給定時間間隔內(nèi)通過某一截面的氣體量除以該時間。
36．體積流率：在給定溫度、壓力和給定時間間隔的條件下通過某截面的氣體體積，除以該時間。
37．在給定時間間隔內(nèi)通過給定截面的氣體的摩爾數(shù)，除以該時間。
38．麥克斯韋速度分布：由麥克斯韋—波爾茲曼速度分布函數(shù)確定的一種速度分布。即氣體分子在一定溫度下處于平衡態(tài)和到器壁的距離大于分子平均自由程時的速度分布。
39．傳輸幾率：無規(guī)律地進入導(dǎo)管入口的分子通過出口的幾率。
40．分子流導(dǎo)：氣體通過管的兩規(guī)定截面或孔流動的分子流導(dǎo)為：其分子流率與管的兩截面或孔的兩側(cè)的平均分子數(shù)密度差之比。
41．流導(dǎo)：在等溫條件下，氣體通過導(dǎo)管或孔流動時，其流量與導(dǎo)管的兩規(guī)定截面或孔的兩側(cè)的平均壓力差之比。
42．固有流導(dǎo)：在容器中麥克斯韋速度分布占優(yōu)勢的條件下，連接這樣兩個容器的導(dǎo)管（或小孔）的流導(dǎo)。在分子流條件下，它等于入口流導(dǎo)與傳輸幾率之積。
43．流阻：流導(dǎo)的倒數(shù)。
44．吸附：固體或液體（吸附劑）對氣體或蒸汽（吸附質(zhì)）的捕集現(xiàn)象。
45．表面吸附：氣體或蒸汽（吸附質(zhì)）存留在固體或液體（吸附劑）表面上的吸附現(xiàn)象。
46．物理吸附：由于物理作用的吸附現(xiàn)象。
47．化學(xué)吸附：由于化學(xué)作用的吸附現(xiàn)象。
48．吸收：氣體或蒸汽（吸附質(zhì)）擴散進入到固體或液體（吸附劑）內(nèi)部的現(xiàn)象。
49．適應(yīng)系數(shù)：入射到某一表面的粒子和該表面實際交換的平均能量與粒子在該表面上達到完全的熱平衡條件所應(yīng)當(dāng)交換的平均能量之比。
50．入射率：在給定時間間隔內(nèi)，入射到表面的分子數(shù)，除以該時間和該表面面積。
51．凝結(jié)率：在給定時間間隔內(nèi)凝結(jié)在某一表面積上的分子數(shù)（或物質(zhì)量或物質(zhì)質(zhì)量），除以該時間和該表面面積。
52．粘著率：在給定時間間隔內(nèi)表面上吸附的分子數(shù)，除以該時間和該表面面積。
53．粘著幾率：粘著率與入射率之比。
54．滯留時間：分子在表面上以吸附狀態(tài)被約束的平均時間。
55．遷移：分子在表面上的移動。
56．解吸：被材料吸附的氣體或蒸汽的釋放現(xiàn)象。釋放可以是自然的，也可用物理方法加速。
57．去氣：氣體從材料中人為的解吸。
58．放氣：氣體從材料中自然的解吸。
59．解吸氣或放氣或去氣速率：在給定時間間隔內(nèi)，從材料中解吸（或放氣或去氣）的氣體流量（或分子流率），除以該時間和該表面面積。
60．蒸發(fā)率：在給定時間間隔內(nèi)從表面上蒸發(fā)的分子數(shù)（或物質(zhì)量或物質(zhì)質(zhì)量）除以該時間和該表面面積。
61．滲透：氣體通過固體阻擋層的現(xiàn)象。該現(xiàn)象包括氣體通過固體的擴散，也可以包括其它的表面現(xiàn)象。
62．滲透率：在穩(wěn)定流動的條件下，氣體通過阻擋層（如器壁）的流量除以阻擋層兩側(cè)壓力函數(shù)的量，該函數(shù)形式取決于實際滲透所涉及的物理過程。
63．滲透系數(shù)：滲透率與阻擋層厚度之積，除以滲透表面積。

以上整理出來的常見真空鍍膜設(shè)備行業(yè)術(shù)語，希望能幫助到大家，因為進入真空行業(yè)，這些術(shù)語是必須要掌握的。

高頻感應(yīng)蒸發(fā)源是將裝有蒸發(fā)材料的石墨或陶瓷坩鍋放在水冷的高頻螺旋線圈中央，使蒸發(fā)材料在高頻帶內(nèi)磁場的感應(yīng)下產(chǎn)生強大的渦流損失和磁滯損失（對鐵磁體），致使蒸發(fā)材料升溫，直至氣化蒸發(fā)。膜材的體積越小，感應(yīng)的頻率就越高。在鋼帶上連續(xù)真空鍍鋁的大型設(shè)備中，高頻感應(yīng)加熱蒸鍍工藝已經(jīng)取得令人滿意的結(jié)果。

高頻感應(yīng)蒸發(fā)源的特點：
1）蒸發(fā)速率大，可比電阻蒸發(fā)源大10倍左右；
2）蒸發(fā)源的溫度均勻穩(wěn)定，不易產(chǎn)生飛濺現(xiàn)象；
3）蒸發(fā)材料是金屬時，蒸發(fā)材料可產(chǎn)生熱量；
4）蒸發(fā)源一次裝料，無需送料機構(gòu)，溫度控制比較容易，操作比較簡單。

它的缺點是：
1）必須采用抗熱震性好，高溫化學(xué)性能穩(wěn)定的氮化硼坩鍋；
2）蒸發(fā)裝置必須屏蔽，并需要較復(fù)雜和昂貴的高頻發(fā)生器；
3）線圈附近的壓強是有定值的，超過這個定值，高頻場就會使殘余氣體電離，使功耗增大。
高頻感應(yīng)蒸發(fā)鍍膜技術(shù)是蒸發(fā)鍍膜種的一種，因應(yīng)用領(lǐng)域不一樣，采用不同的蒸發(fā)鍍膜鍍膜方式。高頻感應(yīng)蒸發(fā)卷繞真空鍍膜設(shè)備主要是針對卷繞薄膜材料制備的一款鍍膜技術(shù)和設(shè)備。

? ? ? ?電阻蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備主要由真空室和抽真空系統(tǒng)組成，真空室內(nèi)有蒸發(fā)源(即蒸發(fā)加熱器)、基片及基片架、基片加熱器、排氣系統(tǒng)等。將鍍膜材料置于真空室內(nèi)的蒸發(fā)源中，在高真空條件下，通過蒸發(fā)源加熱使其蒸發(fā)，當(dāng)蒸氣分子的平均自由程大于真空室的線性尺寸以后，膜材蒸氣的原子和分子從蒸發(fā)源表面逸出后，很少受到其他分子或原子的碰撞與阻礙，可直接到達被鍍的基片表面上，由于基片溫度較低，膜材蒸氣粒子凝結(jié)其上而成膜。
為了提高蒸發(fā)分子與基片的附著力，可以對基片進行適當(dāng)?shù)募訜峄螂x子清洗使其活化。真空蒸發(fā)鍍膜從物料蒸發(fā)、運輸?shù)匠练e成膜，經(jīng)歷的物理過程如下:
(1)利用各種方式將其他形式的能量轉(zhuǎn)換成熱能，加熱膜材使之蒸發(fā)或升華，成為具有一定能量(0.1~0.3eV)的氣態(tài)粒子(原子、分子或原子團):
(2)氣態(tài)粒子離開膜材表面，以相當(dāng)?shù)倪\動速度基本上無碰撞的直線輸運到基片表面;
(3)到達基片表面的氣態(tài)粒子凝聚形核后生長成固相薄膜;
(4)組成薄膜的原子重組排列或產(chǎn)生化學(xué)鍵合。
? ? ? ?電阻加熱蒸發(fā)電阻加熱蒸發(fā)方式是最簡單也最常用加熱方法，一般適用于熔點低于1500℃的鍍膜材料，通常將線狀或片狀的高熔點金屬(W、Mo、Ti、Ta、氨化硼等)做成適當(dāng)形狀的蒸發(fā)源，裝上蒸鍍材料，通過電流的焦耳熱使鍍料熔化、蒸發(fā)或者升華，蒸發(fā)源的形狀主要有多股線螺旋形、U形、正弦波形、薄板形、舟形、圓錐筐形等。同時，該方法要求蒸發(fā)源材料具有熔點高:飽和蒸氣壓低:化學(xué)性能穩(wěn)定，在高溫下不應(yīng)與鍍膜材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng):具有良好的耐熱性，功率密度變化小等特點，采用大電流通過蒸發(fā)源使之發(fā)熱，對膜材直接加熱蒸發(fā),或把膜材放入石墨及某些耐高溫的金屬氧化物(如A202，BO)等材料制成的坩堝中進行間接加熱蒸發(fā)。
? ? ? ?電阻蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備鍍制膜層具有局限性，難熔金屬具有低的蒸氣壓，難以制成薄膜:有此元素容易和加熱絲形成合金:不易得到成分均勻的合金膜。由于電阻加熱蒸發(fā)方式結(jié)構(gòu)簡單、價格低廉、易于操作，因而是一種應(yīng)用很普遍的蒸發(fā)方式。