應(yīng)用
- 光伏
- 半導(dǎo)體
- 汽車
- 顯示
技術(shù)
- ALD
- PVD
- CVD
- PECVD
在 Chiplet × 3D 封裝 × 高速互連時(shí)代，材料與設(shè)備企業(yè)不再只是“提供薄膜設(shè)備”，而是新一代封裝底層的核心驅(qū)動者。玻璃基板（G1.0–G5.0）、大尺寸晶圓（6–8 英寸）、高深徑比微孔（直徑 20–300 μm、深度 100–1500 μm），讓 TGV/TCV 通孔金屬化成為決定封裝性能的關(guān)鍵工藝——而這正是匯成真空的技術(shù)主場。
TGV（Through Glass Via）與 TCV（Through Ceramic Via）技術(shù)正在取代傳統(tǒng)有機(jī)基板，成為以下應(yīng)用的核心材料路線：
●高速光電互連
●5G/6G、毫米波射頻
●高帶寬 AI 模塊
●醫(yī)療微型傳感器
●高可靠車規(guī)電子
優(yōu)勢顯而易見：
●介電損耗極低，遠(yuǎn)低于有機(jī)板
●熱膨脹系數(shù)與硅匹配
●優(yōu)異的絕緣性和熱穩(wěn)定性
●支持更高密度、更小?pitch 的 3D 垂直互連
但真正的挑戰(zhàn)在于如何在這些材料上實(shí)現(xiàn)可靠、連續(xù)、低電阻的金屬互連。尤其是高深徑比（10:1～15:1）通孔，一旦金屬化失敗，整個(gè)封裝就報(bào)廢。這是行業(yè)的痛點(diǎn)，也是匯成真空切入的關(guān)鍵窗口。
TGV孔型
受激光打孔與刻蝕工藝影響，TGV孔主要有四種類型：
●盲孔（Blind via）
●垂直通孔（Through via）
●X型通孔（X-shaped via）
●V型通孔（V-shaped via）
與 TSV 不同，TGV孔徑較大且多為通孔，電鍍時(shí)間長、成本高。由于玻璃表面平滑，常用金屬（如 Cu）易脫落或卷曲，造成襯底與金屬層分層。不同孔型直接影響電性能、可靠性、成本與工藝復(fù)雜度。玻璃基板因其脆性、絕緣性和高頻性能優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于 2.5D/3D IC 集成、射頻器件、MEMS傳感器及顯示面板。
TGV填孔技術(shù)
●電鍍液抑制劑吸附在孔口側(cè)壁，降低沉積速率
●電鍍液加速劑在孔底加速沉積
●銅在孔底優(yōu)先生長，實(shí)現(xiàn)自下而上填充，避免 void 和 seam
●由中間向兩頭生長，防止提早封孔
●通孔內(nèi)部鍍液流動順暢，增強(qiáng)質(zhì)量傳輸
●中間雙向電鍍，生長速度增加
●利用幾何差異與流體力學(xué)特性，避免盲孔填充配方失效
相比傳統(tǒng)鍍膜設(shè)備，TGV/TCV 金屬化要求：
●更強(qiáng)的等離子體密度
●更均勻的離子分布
●更高的電離率
●精準(zhǔn)的基板偏壓控制
●穩(wěn)定的連續(xù)沉積能力
核心能力包括：
●孔內(nèi)金屬化（高深徑比 15:1 ）
●負(fù)載鎖定型濺射系統(tǒng)
●射頻/直流/HiPIMS 高頻脈沖磁控濺射
●脈沖偏壓組合，確保孔底連續(xù)覆蓋，電阻低，無陰影區(qū)
●表面金屬化與 RDL 重布線
●布線金屬化、鈦/銅種子層沉積
●膜厚均勻性 ≤ ±3%，大尺寸基板高平整度
●支撐高頻走線、光電共封裝（OEIC）、MEMS芯片集成
●多靶材、多層結(jié)構(gòu)金屬涂層
●Ti、Cu、Al、ITO 等多陰極同時(shí)濺射
●支持金屬膜、電阻膜、阻擋層、粘附層
●高硬度、低應(yīng)力、耐腐蝕、導(dǎo)電性佳
構(gòu)-1024x539.jpg)
| 項(xiàng)目 | 參數(shù) |
| 晶圓尺寸 | 6-8英寸 |
| 玻璃基板 | G1.0-G5.0(100×100～1100×1300 mm) |
| 微孔規(guī)格 | 直徑20-300 μm,深度100-1500μm |
| 深徑比 | 高達(dá)15:1,全覆蓋鍍膜 |
| 膜厚均勻性 | ≤±3% |
| 翹曲控制 | 低曲翹度、高平整度 |
| 生產(chǎn)節(jié)拍 | 多托盤自動升降傳輸，支持載具鎖定進(jìn)出料 |
| 工藝數(shù)據(jù) | 自動記錄、質(zhì)量可追溯 |
這意味著匯成真空不僅能做 Demo，更能真正上產(chǎn)線。
Chiplet 成為 AI 服務(wù)器、消費(fèi)電子、汽車電子的主流方案，高帶寬、低延遲要求對垂直互連提出前所未有的挑戰(zhàn)。
TGV/TCV 通孔金屬化正在成為以下應(yīng)用的底層關(guān)鍵技術(shù)：
●GPU / AI 加速模塊
●光電共封裝（CPO）
●高頻高速網(wǎng)絡(luò)芯片
●Mini/Micro LED 驅(qū)動
●MEMS、傳感器陣列
●醫(yī)療微型器件
掌握通孔金屬化的企業(yè)，將掌握下一代封裝核心話語權(quán)。在中國，大尺寸基板、深徑比 15:1、高均勻性（≤±3%）、穩(wěn)定批量產(chǎn)線的企業(yè)屈指可數(shù)，匯成真空是核心力量。
過去十幾年，中國薄膜裝備競爭點(diǎn)在 PVD 穩(wěn)定性與靶材利用率。今天的競爭已升級為：能否支撐 Chiplet、3D 封裝、光電集成的未來路線圖。
匯成真空的 TGV/TCV 金屬化設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)學(xué)研全棧路拉通：
●從可用 → 好用
●從實(shí)驗(yàn)室 → 量產(chǎn)線
●從單一薄膜 → 結(jié)構(gòu)化金屬體系
●從簡單鍍膜 → 支撐先進(jìn)封裝全流程
這不僅是設(shè)備進(jìn)步，更是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的躍升。
鍍膜機(jī)清洗和保養(yǎng)方法.jpg)
我們樂意幫助您克服行業(yè)挑戰(zhàn)，提升產(chǎn)品質(zhì)量與效率，實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)快速增長
_jurassic.png)
