TGV/TSV Sputtering System TGV/TCV通孔濺射鍍膜設(shè)備
采用負(fù)載鎖定型濺射技術(shù)，射頻、直流、HiPIMS高功率脈沖磁控濺射、脈沖偏壓等模塊化組合，進(jìn)出料室可使用五個(gè)基材托盤(pán)，自動(dòng)升降傳輸基材，提高生產(chǎn)率，支持多個(gè)陰極同時(shí)濺射，鍍制多層膜，自動(dòng)處理工藝并記錄數(shù)據(jù)。
廣泛應(yīng)用于電子元器件的研發(fā)和生產(chǎn)，在陶瓷、玻璃、金屬上鍍制金屬膜或電阻膜，實(shí)現(xiàn)通孔全覆蓋鍍膜，TGV深徑比高達(dá)15:1，TCV孔徑20um，深徑比20:1。
應(yīng)用：
電極成膜/多層電極和同時(shí)成膜應(yīng)用
介電成膜、絕緣膜、鈍化、保護(hù)膜等。
用于電子元器件的研發(fā)和小規(guī)模生產(chǎn)
適用于Ti、Cu 、Al、Cr、Ni、Ag、Sn等單質(zhì)金屬，已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體電子元器件。
